Transistor MOFSET IRF740PBF

IRF740PBF
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TITRE : Transistor MOFSET IRF740PBF

CARACTERISTIQUE

AttributValeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 10 A
Tension Drain Source maximum 400 V
Résistance Drain Source maximum 550 mΩ
Tension de seuil minimale de la grille 2V
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Type de boîtier TO-220AB
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Configuration du transistor Simple
Mode canal Enrichissement
Catégorie MOSFET de puissance
Dissipation de puissance maximum 125 W
Dimensions 10.41 x 4.7 x 9.01mm
Longueur 10.41mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Capacitance d'entrée typique @ Vds 1400 pF @ 25 V
Hauteur 9.01mm
Charge de Grille type @ Vgs 63 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit 1
Largeur 4.7mm
Retard à la conduction typique 14 ns
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Matériau du transistor Si
Retard au blocage typique 50 ns

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