Transistor MOFSET SPP20N60C3

SPP20N60C3
4,00 €
TTC

TITRE : Transistor MOFSET SPP20N60C3 

CARACTERISTIQUE

AttributValeur
Type de canal N
Courant continu de Drain maximum 21 A
Tension Drain Source maximum 600 V
Résistance Drain Source maximum 190 mΩ
Tension de seuil maximale de la grille 3.9V
Tension de seuil minimale de la grille 2.1V
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
Type de boîtier TO-220AB
Type de montage Traversant
Configuration du transistor Simple
Nombre de broche 3
Mode canal Enrichissement
Catégorie MOSFET de puissance
Dissipation de puissance maximum 208 W
Longueur 10mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Série CoolMOS C3
Hauteur 9.25mm
Dimensions 10 x 4.4 x 9.25mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Retard à la conduction typique 10 ns
Matériau du transistor Si
Nombre d'éléments par circuit 1
Largeur 4.4mm
Capacitance d'entrée typique @ Vds 2400 pF @ 25 V
Charge de Grille type @ Vgs 87 nC @ 10 V
Retard au blocage typique 67 ns

Fiche technique PDF

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