TITRE : Transistor MOFSET SPP20N60C3
CARACTERISTIQUE :
| Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 21 A |
| Tension Drain Source maximum | 600 V |
| Résistance Drain Source maximum | 190 mΩ |
| Tension de seuil maximale de la grille | 3.9V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2.1V |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Type de boîtier | TO-220AB |
| Type de montage | Traversant |
| Configuration du transistor | Simple |
| Nombre de broche | 3 |
| Mode canal | Enrichissement |
| Catégorie | MOSFET de puissance |
| Dissipation de puissance maximum | 208 W |
| Longueur | 10mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Série | CoolMOS C3 |
| Hauteur | 9.25mm |
| Dimensions | 10 x 4.4 x 9.25mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Retard à la conduction typique | 10 ns |
| Matériau du transistor | Si |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 4.4mm |
| Capacitance d'entrée typique @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Charge de Grille type @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Retard au blocage typique | 67 ns |
